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元件参数资料
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参数目录49473
> SI3993DV-T1-E3 MOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP
型号:
SI3993DV-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI3993DV-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DV-T1-E3 Series 6-TSOP
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
133 毫欧 @ 2.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
830mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装
6-TSOP
包装
标准包装
产品目录页面
1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI3993DV-T1-E3DKR
查看SI3993DV-T1-E3代理商
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